H.Hasegawa: "Evolution Mechanism of Nearly Pinning-Free Platinum/n-type Indium Phosphide Interface with a High Schottky Barrier Height by in situ Electrochemical Process" Journal of Vacuum Science and Technology. B15. 1227-1235 (1997)
H.Hasegawa: "Evolution Mechanism of Nearly Pinning-Free Platinum/n-type Indium Phosphide Interface with a High Schottky Barrier Height by in situ Electrochemical Process" Journal of Vacuum Science and Technology. B15. 1227-1235 (1997)
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H.Hasekawa：“通过原位电化学过程实现具有高肖特基势垒高度的近无钉扎铂/n型磷化铟界面的演化机制”真空科学与技术杂志。
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