1.7-kV Vertical GaN p-n Diode with Triple-Zone Graded Junction Termination Extension Formed by Ion-Implantation
1.7-kV Vertical GaN p-n Diode with Triple-Zone Graded Junction Termination Extension Formed by Ion-Implantation
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具有通过离子注入形成的三区渐变结终端扩展的 1.7kV 垂直 GaN p-n 二极管
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Patrick Fay
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Duan;Jingshan Wang;Andy Xie;Zhongtao Zhu;Patrick Fay
