The effect of annealing at 1500 °C on migration and release of ion implanted silver in CVD silicon carbide
The effect of annealing at 1500 °C on migration and release of ion implanted silver in CVD silicon carbide
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1500℃退火对CVD碳化硅中离子注入银迁移和释放的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
ME Hanson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Carbide HJ MacLean;RG Ballinger;LE Kolaya;SA Simonson;N. Lewis;ME Hanson
