E.Rokuta: "Effects of an ultrathin silicon oxynitride buffer layer on electrical properities of ferroelectric Bi_4Ti_3O_<12> thin films on p-Si(100) surfaces"Appl. Phys. Lett.. 79(3). 403-405 (2001)
E.Rokuta: "Effects of an ultrathin silicon oxynitride buffer layer on electrical properities of ferroelectric Bi_4Ti_3O_<12> thin films on p-Si(100) surfaces"Appl. Phys. Lett.. 79(3). 403-405 (2001)
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E.Rokuta：“超薄氮氧化硅缓冲层对 p-Si(100) 表面铁电 Bi_4Ti_3O_<12> 薄膜电性能的影响”Appl。
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