K. Shibahara, K. Egusa and K. Kamesaki: "Improvement in Sb-Doped Ultrashallow Junction Sheet Resistance by Dopant Pileup Reduction at the SiO2/Si Interface"Jpn. J. Appl. Phys. (in printing). (2000)
K. Shibahara, K. Egusa and K. Kamesaki: "Improvement in Sb-Doped Ultrashallow Junction Sheet Resistance by Dopant Pileup Reduction at the SiO2/Si Interface"Jpn. J. Appl. Phys. (in printing). (2000)
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K. Shibahara、K. Egusa 和 K. Kamesaki：“通过减少 SiO2/Si 界面处的掺杂剂堆积来改善掺锑超浅结薄层电阻”Jpn。
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