Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate
Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate
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具有沟槽阶梯场板的垂直 β-Ga2O3 肖特基势垒二极管
DOI：
10.35848/1882-0786/ac620b
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
Masataka Higashiwaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sandeep Kumar;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Masataka Higashiwaki
