Layer exchange of group IV materials: crystal growth and device applications
Layer exchange of group IV materials: crystal growth and device applications
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IV族材料的层交换：晶体生长和器件应用
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Toko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山村柊哉;五藤仁哉;安武茉子;圓福敬二;吉田敬;Formation of Buried Heavily Doped Layers on Diamond (111) Surface by Solid Solution Reaction of Carbon into Nickel;K. Toko
