Spontaneous Transition In Preferred Orientation of GaN Domains Grown on R-Plane Sapvhire Substrate from [11-20] to [0001]
Spontaneous Transition In Preferred Orientation of GaN Domains Grown on R-Plane Sapvhire Substrate from [11-20] to [0001]
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R 平面蓝宝石衬底上生长的 GaN 域的优选取向从 [11-20] 到 [0001] 的自发跃迁
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. J. Lee;J. S. Ha;T. Goto;T. Yao;S. K.Hong;J.H.Chang;C. Kim
