Y.Suda,M Shirahama,and M.Ishida: "Sub-atomic-layer epitaxy of Si using Si_2H_6" Proceedings 3rd IUMRS Int.Conf. on Advanced Materials,ed.by S.Somiya,M.Doyama,M.Hasegawa,and S.Yamada (Elsevier,Amsterdam,1994). (in press). (1994)
Y.Suda,M Shirahama,and M.Ishida: "Sub-atomic-layer epitaxy of Si using Si_2H_6" Proceedings 3rd IUMRS Int.Conf. on Advanced Materials,ed.by S.Somiya,M.Doyama,M.Hasegawa,and S.Yamada (Elsevier,Amsterdam,1994). (in press). (1994)
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Y.Suda、M Shirahama 和 M.Ishida：“使用 Si_2H_6 进行 Si 的亚原子层外延”论文集第 3 届 IUMRS Int.Conf。
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