N2 Defects in Silicon Nitride for Quantum Applications
N2 Defects in Silicon Nitride for Quantum Applications
复制标题
用于量子应用的氮化硅中的 N2 缺陷
DOI：
10.1364/cleo_at.2020.jtu2a.11
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Lorenz, Virginia
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shinbrough, Kai;Fang, Kejie;Lorenz, Virginia
