酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション
酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション
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氧空位分布控制的四端忆阻器电阻变化机理的有限元模拟
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
永田善也，清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Abe;T. Seki;Y. Ohki;and M. Mizuno;永田善也，清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗
