Study of proton irradiation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors
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DOI：
10.1016/j.microrel.2011.04.022
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发表时间：
2011-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
L. Lv;J. Ma;Yanrong Cao;Jinli Zhang;W. Zhang;Longqiao Li;S. R. Xu;Xiao-hua Ma;X. Ren
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Lv;J. Ma;Yanrong Cao;Jinli Zhang;W. Zhang;Longqiao Li;S. R. Xu;Xiao-hua Ma;X. Ren
