High-Aspect-Ratio Nanostructures of Semiconductors Fabricated by Chemical and Electrochemical Etchings
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通过化学和电化学蚀刻制造的高深宽比半导体纳米结构
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Ono and H. Asoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kuwahara;Y.;Yamanishi;T.;Kamegawa;T.;Mori;K.;Yamashita;H.;諸貫修一，相澤祐香，阿相英孝，森陽一，閤師昭彦，廖金孫，小野幸子;Takehiro Nakanishi・Tadanori Hashimoto・Hiroyuki Nasu・Atsushi Ishihara;S. Ono and H. Asoh
