Accurate Quantum Transport Modeling of High-Speed In 0.53 Ga 0.47 As/AlAs Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes
Accurate Quantum Transport Modeling of High-Speed In 0.53 Ga 0.47 As/AlAs Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes
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0.53 Ga 0.47 As/AlAs 双势垒谐振隧道二极管高速精确量子输运建模
DOI：
10.1109/ted.2022.3178360
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Cimbri D
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cimbri D
