Formation of Metal-Ferroelectric-Insulator-Si Structure Device with Large Memory Window by Supplying Ion Bombardment Energy in Rf-Sputtering Plasma
Formation of Metal-Ferroelectric-Insulator-Si Structure Device with Large Memory Window by Supplying Ion Bombardment Energy in Rf-Sputtering Plasma
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射频溅射等离子体提供离子轰击能量形成大记忆窗金属-铁电-绝缘体-硅结构器件
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ichirou Takahashi;Tadahiro Ohmi;et al.
