4H-SiC-on-Insulator Platform for Quantum Photonics
4H-SiC-on-Insulator Platform for Quantum Photonics
复制标题
用于量子光子学的 4H-SiC-on-Insulator 平台
DOI：
10.1364/cleo_si.2019.sm2f.6
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Vučković
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Lukin;C. Dory;M. Radulaski;Shuo Sun;Sattwik Deb Mishra;M. Guidry;D. Vercruysse;J. Vučković
我们提出了一种4 H-绝缘体上碳化硅平台，该平台能够实现色心与光子器件的多功能集成。
We present a 4H-Silicon-Carbide-on-Insulator platform that enables versatile integration of color centers with photonic devices.
影响因子：
41.2
作者：
Widmann, Matthias;Lee, Sang-Yun;Wrachtrup, Joerg
通讯作者：
Wrachtrup, Joerg