水素原子源付プラズマCVD法に任意電圧波形を併用したa-C:H薄膜の堆積

水素原子源付プラズマCVD法に任意電圧波形を併用したa-C:H薄膜の堆積
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氢原子源结合任意电压波形等离子体CVD法沉积a-C:H薄膜

DOI:
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发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
白谷正治
白谷正治
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
古閑一憲;山木健司;方トウジュン;山下大輔;徐鉉雄;板垣奈穂;白谷正治

文献摘要

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