Y.HUANG: "Saturation characteristics of Ga_<0.68>In_<0.32>As/GaInAsP/InP tensile-strained quantum-well semiconductor laser amplifiers with tapered-waveguide structures" IEEE J.Quantum Electron.30(to be published). (1994)
Y.HUANG: "Saturation characteristics of Ga_<0.68>In_<0.32>As/GaInAsP/InP tensile-strained quantum-well semiconductor laser amplifiers with tapered-waveguide structures" IEEE J.Quantum Electron.30(to be published). (1994)
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Y.HUANG：“具有锥形波导结构的Ga_<0.68>In_<0.32>As/GaInAsP/InP拉伸应变量子阱半导体激光放大器的饱和特性”IEEE J.Quantum Electron.30（待出版）。
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