Comparison of etch pit shapes on off-oriented 4H-SiC using different halogen gases
Comparison of etch pit shapes on off-oriented 4H-SiC using different halogen gases
复制标题
使用不同卤素气体在偏向 4H-SiC 上的蚀坑形状比较
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Yano and T. Fuyuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hatayama;T. Tamura;H. Yano and T. Fuyuki
