Evaluation of Multilevel Memory Capability of ReRAM Using Ta2O5 Insulator and Different Electrode Materials

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使用 Ta2O5 绝缘体和不同电极材料的 ReRAM 多级存储能力评估

DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2017)
影响因子:
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通讯作者:
and Yasuo Takahashi
and Yasuo Takahashi
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Yuanlin Li;Reon Katsumura;Mika Kristian Gronroos;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Masashi Arita;Hideyuki Andoh;Takashi Morie;and Yasuo Takahashi

文献摘要

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