選択MOVPE法を用いたSi基板上(11-22)GaNの転位低減
選択MOVPE法を用いたSi基板上(11-22)GaNの転位低減
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使用选择性 MOVPE 方法减少 Si 衬底上 (11-22)GaN 的位错
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
澤木宣彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
村瀬輔;谷川智之;本田善央;山口雅史;澤木宣彦
