Lecture 16

Lecture 16
复制标题

第16讲

DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
Pseudorandomness and Cryptographic Applications
影响因子：
--
通讯作者：
Cs
Cs
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
Xiangyao Yu;Cs

文献摘要

被引文献

相似文献

今天：1.研究半导体中费米分布的结果。在给定的温度下，有多少电子到达导带？2.在波段边缘将波段建模为抛物线。3. E与k的抛物线近似的能级密度。4.空穴作为电荷载体。5. D.O.S.半导体（SC）6.处于热平衡的载流子数。7.非简并半导体8.质量作用定律。9.本征半导体中的电荷载流子密度。
Today: 1. Examining the consequences of Fermi distribution in semiconductors. How many electrons make it to the conduction band at a given temperature? 2. Modeling bands as parabolas at the band edge. 3. Density of levels for the parabolic approximation for E vs. k. 4. Holes as charge carriers. 5. D.O.S. function in semiconductors (SC). 6. Number of carriers in thermal equilibrium. 7. Non-degenerate semiconductors. 8. Law of mass action. 9. Density of charge carriers in intrinsic semiconductors.