Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces
Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces
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金属和半导体表面富勒烯的扫描隧道显微镜
DOI：
10.1070/pu1997v040n03abeh000213
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
2.7
通讯作者：
T. Sakurai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Bakhtizin;T. Hashizume;W. D. Wang;T. Sakurai
结合作者的工作，综述了富勒烯分子的超高真空扫描隧道显微镜(STM)的研究现状。我们的工作集中在C60和C70富勒烯分别或混合在半导体[Si(111)-7×7和Si(100)-2×1]和金属[Cu(111)-1×1和Ag(111)-1×1]表面上的吸附和反应。利用扫描隧道显微镜，在这些表面上直接观察到了吸附几何结构和相应的重构，并在高分辨率的扫描隧道显微镜图像上揭示了分子内的结构，并在局域电荷分布模型下进行了理论分析。给出并讨论了富勒烯薄膜在金属和半导体表面有序生长的结果。
The current state of the ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy (STM) of fullerene molecules is reviewed with the use of the authors' work. We focus our work on absorption and reaction of the C60 and C70 fullerenes, separately or in mixture, with semiconductor [Si(111)-7×7 and Si(100)-2×1] and metal [Cu(111)-1×1 and Ag(111)-1×1] surfaces. By using the STM, the adsorption geometry and the corresponding reconstruction are directly observed on these surfaces, and the intramolecular structures are revealed in high resolution STM images which are analyzed theoretically within the local charge distribution model. Results on the ordered growth of fullerene films on metal and semiconductor surfaces are presented and discussed.
DOI：
10.1016/0921-5107(93)90160-o
发表时间：
1993-04
影响因子：
3.6
作者：
H. Shinohara;H. Yamaguchi;N. Hayashi;Hiroyasu Sato;Motoki Inagaki;Y. Saito;S. Bandow;H. Kitagawa;T. Mitani;H. Inokuchi
通讯作者：
H. Shinohara;H. Yamaguchi;N. Hayashi;Hiroyasu Sato;Motoki Inagaki;Y. Saito;S. Bandow;H. Kitagawa;T. Mitani;H. Inokuchi
Y.Kawazoe：“通过从头计算和经典分子动力学模拟研究 Si(100) 表面上层状 C_<60> 的结构”Mater.Sci.Enging.B。
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
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作者：
通讯作者：
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