Implementation of High-k Gate Dielectrics in Silicon Carbide Power MOS Devices
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高 k 栅极电介质在碳化硅功率 MOS 器件中的实现
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
福島悠太;アラン フルカン;樋口直樹;チャンタパン アタウット;細井卓治;志村考功;渡部平司;福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司;H. Watanabe
