Electronic band alignment in AlGaN/GaN high electron-mobility transistors investigated using scanning photocurrent microscopy
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DOI：
10.1016/j.cap.2019.01.008
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发表时间：
2019-04
影响因子：
2.4
通讯作者：
Y. Kim;B. Son;H. Jeong;K. Park;Y. Ahn
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kim;B. Son;H. Jeong;K. Park;Y. Ahn
