JongーLam Lee,H.Kobayashi,S.Tanigawa and M.Kawabe: "Reduction of dislocation density in impurityーdoped GaAs Grown on Si Substrate by molecular beam cpitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L860-L863 (1990)
JongーLam Lee,H.Kobayashi,S.Tanigawa and M.Kawabe: "Reduction of dislocation density in impurityーdoped GaAs Grown on Si Substrate by molecular beam cpitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.29. L860-L863 (1990)
复制标题
Jong-Lam Lee、H.Kobayashi、S.Tanikawa 和 M.Kawabe：“通过分子束 cpitaxy 减少在 Si 衬底上生长的杂质掺杂 GaAs 中的位错密度”Jpn.J.Appl.Phys.29（ 1990）
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
