発光欠陥を有するInSb QDs埋め込みSi構造における光利得のポストアニール依存性
発光欠陥を有するInSb QDs埋め込みSi構造における光利得のポストアニール依存性
复制标题
具有发光缺陷的 InSb QD 嵌入 Si 结构中光学增益的退火后依赖性
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
深津晋
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
安武裕輔;深津晋
