N.Takahashi: "Arsenic Desoption from GaAs(001)in GaAs Atomic Layer Epitaxy Studied by In Situ Gravimetric Method." Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics. 13. 195-196 (1994)
N.Takahashi: "Arsenic Desoption from GaAs(001)in GaAs Atomic Layer Epitaxy Studied by In Situ Gravimetric Method." Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics. 13. 195-196 (1994)
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N.Takahashi：“通过原位重量法研究 GaAs 原子层外延中 GaAs(001) 中砷的解离。”
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