Dependence of tunnel magnetoresistance in CoFeB-MgO based perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions on sputtering conditions and stack structures
Dependence of tunnel magnetoresistance in CoFeB-MgO based perpendicular anisotropy magnetic tunnel junctions on sputtering conditions and stack structures
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CoFeB-MgO 基垂直各向异性磁隧道结的隧道磁阻对溅射条件和堆叠结构的依赖性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Mizunumam;et.al.
