Growth of a GaN crystal free from cracks on a (1 1 1)Si substrate by selective MOVPE
Growth of a GaN crystal free from cracks on a (1 1 1)Si substrate by selective MOVPE
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通过选择性 MOVPE 在 (1 1 1)Si 衬底上生长无裂纹的 GaN 晶体
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01352-0
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Honda;Y. Kuroiwa;M. Yamaguchi;N. Sawaki
