Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition
Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition
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HfO2 和 SiO2 界面层对等离子体增强原子层沉积 n-GaN/HfSiOx 电容器特性的影响
DOI：
10.1116/6.0001334
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koide Yasuo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nabatame Toshihide;Maeda Erika;Inoue Mari;Hirose Masafumi;Irokawa Yoshihiro;Ohi Akihiko;Ikeda Naoki;Onaya Takashi;Shiozaki Koji;Ochi Ryota;Hashizume Tamotsu;Koide Yasuo
