100 W C-band single-chip GaN FET power amplifier
100 W C-band single-chip GaN FET power amplifier
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DOI：
10.1049/el:20064067
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发表时间：
2006-03
影响因子：
1.1
通讯作者：
Y. Okamoto;A. Wakejima;Y. Ando;T. Nakayama;K. Matsunaga;H. Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Okamoto;A. Wakejima;Y. Ando;T. Nakayama;K. Matsunaga;H. Miyamoto
单片GaN-FET放大器在连续波（CW）和脉冲工作条件下具有创纪录的c波段固态放大器输出功率。在5.0 GHz时，采用24 mm栅极外围的GaN-FET放大器可提供连续波100 W输出功率，线性增益为12.9 dB，功率附加效率为31%，脉冲输出功率为155 W，线性增益为13.0 dB。
A single-chip GaN-FET amplifier exhibits record output powers of C-band solid-state amplifiers under continuous-wave (CW) and pulsed operation conditions. At 5.0 GHz, the developed GaN-FET amplifier with 24 mm gate periphery delivered a CW 100 W output power with 12.9 dB linear gain and 31% power-added efficiency and a pulsed 155 W output power with 13.0 dB linear gain.