GaN薄膜成長のための表面窒化Al基板製作

GaN薄膜成長のための表面窒化Al基板製作
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用于 GaN 薄膜生长的表面氮化 Al 衬底制造

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
本田徹
本田徹
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
田口悟;澤田石将士;笹谷光基;山本博美;本田徹

文献摘要

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