A 3000 hours DC Life Test on AlGaN/GaN HEMT for RF and microwave applications
A 3000 hours DC Life Test on AlGaN/GaN HEMT for RF and microwave applications
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针对射频和微波应用的 AlGaN/GaN HEMT 进行 3000 小时直流寿命测试
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Delage
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Sozza;C. Dua;E. Morvan;B. Grimbert;S. Delage
