Mobility in h-BN gated diamond field-effect transistors
Mobility in h-BN gated diamond field-effect transistors
复制标题
h-BN 门控金刚石场效应晶体管的迁移率
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yamaguchi Takahide
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yosuke Sasama;Taisuke Kageura;Katsuyoshi Komatsu;Satoshi Moriyama;Jun-ichi Inoue;Masataka Imura;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Takashi Uchihashi;Yamaguchi Takahide
