Superconductor-insulator Transition Induced by Over-deposited Ge in the Insulating Ultrathin a-Nb Film
Superconductor-insulator Transition Induced by Over-deposited Ge in the Insulating Ultrathin a-Nb Film
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绝缘超薄a-Nb薄膜中过量沉积Ge引起的超导-绝缘体转变
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Nobuhiko Nishida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryuichi Masutomi;Takashi Ito;Nobuhiko Nishida
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