CVD法によるGaN上への原子層半導体MoS２成長 における基板極性の影響
CVD法によるGaN上への原子層半導体MoS２成長 における基板極性の影響
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衬底极性对CVD法在GaN上生长原子层半导体MoS2的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
毛利 真一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
河瀬 流星;流石 新生;Rong Kaipeng;荒木 努;毛利 真一郎
