GaAs/AIGaAs quantum dot laser fabricated on GaAs (311)A substrate by droplet epitaxy
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采用液滴外延法在 GaAs (311)A 衬底上制备 GaAs/AIGaAs 量子点激光器
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Sakoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mano;T. Kuroda;K. Mitsuishi;Y. Nakayama;T. Noda;and K. Sakoda
