First-principles calculations on point defects in semiconductors and insulators
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半导体和绝缘体点缺陷的第一性原理计算
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yu Kumagai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.S. Kamzin;S. Ishio;T. Hasegawa;A.A. Valiullin;V.R. Ganeev;L.R. Tagirov;L.D. Zaripova;熊谷 悠;Ken Niwa;Yu Kumagai;長谷川 崇;深井 俊史・丹羽 健・長谷川 正;熊谷 悠;高山新・丹羽 健・長谷川正;Yu Kumagai
