Amorphous GaOx Crossbar Array Memristors for Artificial Synaptic Devices
Amorphous GaOx Crossbar Array Memristors for Artificial Synaptic Devices
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用于人工突触器件的非晶 GaOx 交叉阵列忆阻器
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akira Sakai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naoki Masaoka;Yusuke Hayashi;Tetsuya Tohei;Akira Sakai
