光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
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光电化学刻蚀法制备AlGaInN/AlGaN HFET
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐藤 威友
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤 滉朔;小松 祐斗;渡久地 政周;井上 暁喜;田中 さくら;三好 実人;佐藤 威友
