反応性プラズマプロセスによる酸化物半導体薄膜形成
反応性プラズマプロセスによる酸化物半導体薄膜形成
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通过反应等离子体工艺形成氧化物半导体薄膜
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
竹中 弘祐，都甲 将，節原 裕一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Takenaka;S. Toko and Y. Setsuhara;竹中 弘祐，都甲 将，節原 裕一
