T.Matsuura, T.Miyamoto, 他: "p-type doping characteristics of GaInAs : Be grown by solid source molecular beam epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. (掲載決定済み). (2004)
T.Matsuura, T.Miyamoto, 他: "p-type doping characteristics of GaInAs : Be grown by solid source molecular beam epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. (掲載決定済み). (2004)
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T.Matsuura、T.Miyamoto 等人：“GaInAs 的 p 型掺杂特性：通过固体源分子束外延生长”Jpn.J.Appl.Phys.（决定出版）。
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