シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気 伝導機構の解析
シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気 伝導機構の解析
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硅盖退火4H-SiC表面导电机理分析
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
東 清一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
花房 宏明; 東堂 大地; 東 清一郎
