HfZrO-based ferroelectric devices for lower power AI and memory applications
HfZrO-based ferroelectric devices for lower power AI and memory applications
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适用于低功耗人工智能和内存应用的 HfZrO 基铁电器件
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Takenaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takagi;K. Toprasertpong;K. Tahara;E. Nako;R. Nakane;Z. Wang;X. Luo;T. E. Lee;and M. Takenaka
