Photocatalytic activity and DFT calculations on electronic structure of N-doped ZnO/Ag nanocomposites
Photocatalytic activity and DFT calculations on electronic structure of N-doped ZnO/Ag nanocomposites
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N掺杂ZnO/Ag纳米复合材料电子结构的光催化活性和DFT计算
DOI：
10.1016/j.catcom.2011.02.008
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发表时间：
2011-05
影响因子：
3.7
通讯作者：
Alan Meng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhenjiang Li;Suyuan Sun;Xiao Xu;Bin Zheng;Alan Meng
采用两步液相沉积法和等离子氮化技术成功制备了氮掺杂ZnO/Ag纳米复合材料。光催化研究表明，在紫外光照射下，N掺杂的ZnO/Ag纳米复合材料对橙子水溶液的光催化降解效率明显高于未掺杂的样品。理论计算结果表明，N掺杂使ZnO/Ag纳米复合材料的费米能级向价带移动，在能隙中形成窄深的受主能级，电子从价带跃迁到导带所需的能量较少，从而解释了N掺杂提高ZnO/Ag纳米复合材料光催化活性的机理。
N-doped ZnO/Ag nanocomposites were successfully prepared by two-step liquid deposition approach and plasma nitriding technology. The photocatalytic studies suggested that N-doped ZnO/Ag nanocomposites showed enhanced photocatalytic efficiency of photodegradation of methyl orange aqueous solution compared with the un-doped sample under UV light irradiation. The theoretical results indicated that the Fermi level shifted into the valence band, a narrow-deep acceptor level formed in the energy gap, then the transition of an electron from valence band to conduction band needs less energy which demonstrated the mechanism for the enhanced photocatalytic activity of N-doped ZnO/Ag nanocomposites.
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