高温動作CMOS実現に向けた3C-SiC上へのゲート絶縁膜形成
高温動作CMOS実現に向けた3C-SiC上へのゲート絶縁膜形成
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在3C-SiC上形成栅极绝缘膜以实现高温操作CMOS
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中島 寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
村山 亮介;山本 圭介;王 冬;中島 寛
