昇華法によるSiC結晶成長での欠陥制御と伝導度制御
昇華法によるSiC結晶成長での欠陥制御と伝導度制御
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升华法SiC晶体生长中的缺陷控制和电导率控制
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
江藤数馬
中科院分区：
文献类型：
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作者：
江藤数馬;三谷武志;百瀬賢治;加藤智久;江藤数馬
