GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟

GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟
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DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
材料导报(B)
影响因子:
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通讯作者:
韦文生
韦文生
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
赵少云;韦文生

文献摘要

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