X線侵入長を制御した斜入射トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察
X線侵入長を制御した斜入射トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察
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利用受控 X 射线穿透深度的斜入射形貌观察 Al 离子注入 SiC 衬底的应变状态
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋由美子，平野馨一;他
